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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN3R7-100BSEJ
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN3R7-100BSEJ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 405W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 246nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 780A
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