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Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolare; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolare; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolare; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W
N. Articolo:
     5068-QS5U17TR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QS5U17TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSOT25
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2A
Resistenza nello stato di conduzione: 154mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET + Schottky
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 2,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 8A
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