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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolare; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-QS5U17TR
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
QS5U17TR
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio:
SMD
Corpo:
TSOT25
Tensione drenaggio-fonte:
30V
Corrente di drenaggio:
2A
Resistenza nello stato di conduzione:
154mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET + Schottky
Potenza dissipata:
1,25W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori:
ESD protected gate
Carico della porta:
2,8nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±12V
Corrente di drain pulsata:
8A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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