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Articolo
ROHM RSQ020N03FRATR MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TSMT
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2769550
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RSQ020N03FRATR
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.096 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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ROHM
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RSQ020N03FRATR
,
2769550
,
276-9550
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