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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIHP12N60E-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHP12N60E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 7,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,38Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 147W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 58nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 27A
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