VISHAY SIHP12N60E-GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.32 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 147 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised