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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 25V; 268A; Idm: 350A


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SIRA20BDP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA20BDP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 25V
Corrente di drenaggio: 268A
Resistenza nello stato di conduzione: 820µΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 67W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 186nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -12...16V
Corrente di drain pulsata: 350A
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3000
Franco domicilio
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Magazzino 5068
1
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4 giorni
1980
1
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€ 2,09*
Prezzi: Magazzino 5068
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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