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VISHAY SIRA20BDP-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 25V, 335A, POWERPAK SO


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N. Articolo:
     8585-3605911
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA20BDP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 480 µohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Corrente Continua di Drain Id 335 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 25 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIRA20BDP-T1-GE3, 3605911, 360-5911
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