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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 14A; Idm: 100A; 30,8W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 14A; Idm: 100A; 30,8W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 14A; Idm: 100A; 30,8W
N. Articolo:
     5068-SUD50N04-8M8P-4GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD50N04-8M8P-4GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 14A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 30,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 56nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 100A
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