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VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3 MOSFET, CANALE N, 40V, 50A, TO252


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N. Articolo:
     8585-1794799
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD50N04-8M8P-4GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0069 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 48.1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SUD50N04-8M8P-4GE3, 1794799, 179-4799
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