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VISHAY SI7949DP-T1-E3 MOSFET, 2 CANALI P, 60V, 8SOIC
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2101481
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI7949DP-T1-E3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.2 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.2 A Resistenza RdsON canale N 0.051 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.051 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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Transistori
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VISHAY
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SI7949DP-T1-E3
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2101481
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210-1481
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