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VISHAY SI7949DP-T1-E3 MOSFET, 2 CANALI P, 60V, 8SOIC


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N. Articolo:
     8585-2101481
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7949DP-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.2 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.2 A Resistenza RdsON canale N 0.051 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.051 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI7949DP-T1-E3, 2101481, 210-1481
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