VISHAY SI7949DP-T1-GE3 MOSFET, DUAL, CAN P, 60V, 5A, SOIC

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5 A Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5 A Resistenza RdsON canale N 0.08 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.08 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised