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VISHAY SI1026X-T1-GE3 MOSFET, CA-N, 60V, 0,305A, SC-89


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N. Articolo:
     8585-2646361
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1026X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 305 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 305 mA Resistenza RdsON canale N 1.4 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 1.4 ohm Dissipazione di potenza canale N 250 mW Dissipazione di potenza canale P 250 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-89 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SI1026X-T1-GE3, 2646361, 264-6361
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