Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-2784047 N. Art. Produtt.: STW45N65M5 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.067 ohm Gamma di prodotti MDmesh V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 35 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 210 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STW45N65M5, 2784047, 278-4047 |
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