Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2807334 N. Art. Produtt.:
STY139N65M5 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.014 ohm Gamma di prodotti MDmesh V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 130 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MAX-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 625 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STY139N65M5, 2807334, 280-7334 |
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