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VISHAY SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 60V, 100A, 150°C, 125W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2932898
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIDR626DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0014 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIDR626DP-T1-GE3, 2932898, 293-2898
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