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Articolo
VISHAY SIHA180N60E-GE3 MOSFET, CANALE N, 19A, 600V, TO-220FP
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3019072
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SIHA180N60E-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.155 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 19 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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Transistore
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Effetto
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Semiconduttori
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VISHAY
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SIHA180N60E-GE3
,
3019072
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301-9072
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