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ROHM RS1E301GNTB1 MOSFET, CANALE N, 30V, 80A, 150°C, 33W


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N. Articolo:
     8585-3214735
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RS1E301GNTB1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0017 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HSOP Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RS1E301GNTB1, 3214735, 321-4735
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