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  Transistor a effetto campo  (7.274 offerte tra 5.323.739 articoli)

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"Transistor a effetto campo"

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DIODES INC. DMG3414UQ-7 MOSFET, CANALE N, 20V, 4.2A, SOT-23 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMG3414UQ-7
a partire da € 0,0877*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Nexperia, canale N, 5,7 Ω, 260 mA, DFN1010B-6, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 4...
Nexperia
NX7002BKXBZ
a partire da € 5,25*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMG6602SVT-7 MOSFET, COMPLEMENTARE, 30V, 3.4A, TSOT26 (3 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...
Diodes
DMG6602SVT-7
a partire da € 0,0644*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 107 mΩ, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
RFD3055LESM9A
a partire da € 591,15*
per 2.500 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMHC4035LSD-13 MOSFET, CANALE N/P, 40V, 4.5A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua...
Diodes
DMHC4035LSD-13
a partire da € 0,328*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
NDT3055L
a partire da € 1,74*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMG6602SVT-7 MOSFET, COMPLEMENTARE, 30V, 3.4A, TSOT26 (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...
Diodes
DMG6602SVT-7
a partire da € 0,0633*
per pezzo
 
 pezzi
MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 6 A, WLCSP, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabili...
Nexperia
PMCM4401VNEAZ
a partire da € 8,21*
per 25 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMG6602SVTQ-7 MOSFET, AECQ101, COMPLEMENT, 30V, TSOT26 (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...
Diodes
DMG6602SVTQ-7
a partire da € 0,0696*
per pezzo
 
 pezzi
MOSFET Nexperia, canale N, 69 mΩ, 3,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
30V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT...
Nexperia
PMV50ENEAR
a partire da € 3,495*
per 25 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMHT6016LFJ-13 MOSFET, CANALE N, 60V, 10.6A (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 10.6 A Gamma di prodotti - Numero di pin 12 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain contin...
Diodes
DMHT6016LFJ-13
a partire da € 0,847*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
2N7002T
a partire da € 12,88*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMG9926UDM-7 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 20V, 4.2A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua...
Diodes
DMG9926UDM-7
a partire da € 0,123*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-363, Montaggio superficiale (4 offerte) 
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...
onsemi
2N7002DW
a partire da € 0,0828*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMG7430LFG-7 MOSFET, CAN-N, 30V, 10.5A, POWERDI3333 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tran...
Diodes
DMG7430LFG-7
a partire da € 0,0997*
per pezzo
 
 pezzo
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