Transistor a effetto campo  (7.274 offerte tra 5.323.739 articoli)

80 V, MOSFET Trench a canale N singolo. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore di media potenza in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-M...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0066 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N...

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica co...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0041 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tr...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2.9 A Gamma di prodotti - Numero di pin 12 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain conti...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.065 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabili...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.068 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

FET TrenchMOS a canale N di livello logico. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Q...

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.1 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.116 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tran...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...