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MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1780907
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFR014PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,7 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1780907, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFR014PBF
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