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MOSFET Vishay, canale N, 100 mΩ, 2,5 A, HVMDIP, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1780918
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRLD024PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,5 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
HVMDIP
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
100 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
1,3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-10 V, +10 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1780918, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRLD024PBF
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