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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IRLD024PBF
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
IRLD024PBF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
VISHAY
Montaggio:
THT
Corpo:
DIP4
Tensione drenaggio-fonte:
60V
Corrente di drenaggio:
1,8A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,14Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
1,3W
Polarizzazione:
unipolare
Carico della porta:
18nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±10V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Immagine
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N. Art. Produtt.
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Simile
MOSFET Vishay, canale N, 100 mΩ, 2,5 A, HVMDIP, Su foro
Vishay
IRFD024PBF
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