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MOSFET Vishay, canale P, 0,0192 O, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1807281
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI3421DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 8 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 6
Resistenza massima drain source = 0,0192 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
8 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TSOP-6
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
0,0192 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1807281, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI3421DVT1GE3
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