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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -30V; -8A; Idm: -50A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -30V; -8A; Idm: -50A
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -30V; -8A; Idm: -50A
N. Articolo:
     5068-SI3421DV-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI3421DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: TSOP6
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -8A
Resistenza nello stato di conduzione: 19,2mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 69nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -50A
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