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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 900 μΩ, 477 A, DFNW8, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1858161
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVMTS0D7N06CLTXG
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 477 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = DFNW8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 900 μΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1V
Dissipazione di potenza massima = 294.6 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °Cmm
Altezza = 1.15mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
477 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DFNW8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
900 μΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
294.6 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
8.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
1858161
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NVMTS0D7N06CLTXG
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