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ONSEMI NVMTS0D7N06CTXG MOSFET, AEC-Q101, CAN-N, 60V, 464A, DFNW


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3018997
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMTS0D7N06CTXG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 550 µohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 464 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFNW Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 294.6 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NVMTS0D7N06CTXG, 3018997, 301-8997
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