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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIHA4N80E-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHA4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 2,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,27Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 69W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 32nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 11A
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