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VISHAY SIHA4N80E-GE3 Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.3


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N. Articolo:
     8585-2932916
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHA4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.1 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 69 W Qualificazioni -
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIHA4N80E-GE3, 2932916, 293-2916
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