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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-SIHB24N65E-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHB24N65E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;TO263
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 16A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,145Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 122nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 70A
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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