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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 20 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 25V Dissipazione di potenza massima = 288 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
a partire da € 1,751*
per pezzo
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247GE (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 144 W Tipo di package = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
a partire da € 1,76*
per pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 83 W Tipo di package = TO-247-3-HC...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
a partire da € 1,767*
per pezzo
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 55, TO-247GE (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 55 Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
a partire da € 1,777*
per pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3 (1 offerta) 
Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con diodo antiparallelo Rapid 1 a corrente nominale completa e ha anche una tensione di scarica distruttiva di 650V....
Infineon
IKB15N65EH5ATMA1
a partire da € 1,789*
per pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247 (2 offerte) 
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
a partire da € 1,79*
per pezzo
IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247
Bourns
BIDW30N60T
a partire da € 1,794*
per pezzo
IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
a partire da € 1,794*
per pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 282 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65WR5XKSA1
a partire da € 1,795*
per pezzo
IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) 
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SMD
a partire da € 1,795*
per pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG...
Infineon
IGP40N65H5XKSA1
a partire da € 1,799*
per pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO263-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO263-3...
Infineon
IGB50N60TATMA1
a partire da € 1,804*
per pezzo
IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-3PF (2 offerte) 
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGAF40N60UFTU
a partire da € 1,818*
per pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGW40V60DF
a partire da € 1,82*
per pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGW30V60DF
a partire da € 1,83*
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