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Driver gate MOSFET MC34152DG, 1,5 A, 18V, SOIC, 8-Pin (2 offerte) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
MC34152DG
a partire da € 0,504*
per pezzo
 
 pezzo
91%
Driver gate MOSFET MC34151DR2G, 1,5 A, 18V, SOIC, 8-Pin (1 offerta) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
MC34151DR2G
a partire da € 7,36*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
91%
Driver gate MOSFET MC34151DG, 1,5 A, 18V, SOIC, 8-Pin (1 offerta) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
MC34151DG
a partire da € 1,768*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
91%
Driver gate MOSFET NCP5106BDR2G, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin (1 offerta) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
NCP5106BDR2G
a partire da € 4,56*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
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Infineon IR2136S (1 offerta)
Infineon
IR2136STRPBF
a partire da € 1.392,17*
per 1.000 pezzi
 
 pacchetto
91%
MOSFET onsemi, canale N, 480 μΩ, 533 A., DFNW8, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza per auto in un package flat-lead da 8x8 mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore isp...
onsemi
NVMTS0D6N04CTXG
a partire da € 25,85*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
91%
MOSFET onsemi, canale N, 1,1 mΩ, 362 A, DFN, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Fianco tavolo bagnato disponibil...
onsemi
NVMFS5C406NLT1G
a partire da € 1,941*
per pezzo
 
 pezzo
91%
MOSFET onsemi, canale N, 17,3 mΩ, 27 A, WDFN, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Fianco tavolo bagnato disponibile per...
onsemi
NVTFS015N04CTAG
a partire da € 1,47*
per 5 pezzi
 
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91%
Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolare; 100/-80V; 6/-6A; 2,5W (2 offerte) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: WDFN12 Struttura del semiconduttore: drenaggio comune Tensione drenaggio-fonte: 100/-80V Corrente di drenaggio: 6/-6A Resistenza nello stato di conduzione: ...
onsemi
FDMQ8203
a partire da € 0,609*
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 pezzo
91%
Driver gate MOSFET NCP5106BDR2G, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin (1 offerta) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
NCP5106BDR2G
a partire da € 1.122,725*
per 2.500 pezzi
 
 pacchetto
91%
Driver gate MOSFET MC34151DG, 1,5 A, 18V, SOIC, 8-Pin (2 offerte) 
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
onsemi
MC34151DG
a partire da € 0,813*
per pezzo
 
 pezzo
91%
MOSFET onsemi, canale N, 640 μΩ, 553.8 A, DFNW8, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza per auto in un package flat-lead da 8x8 mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore isp...
onsemi
NVMTS0D4N04CLTXG
a partire da € 4,79*
per pezzo
 
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90%
IC: amplificatore audio; Pusc: 1,2W; 3÷15VDC; Ch: 2; DIP8; 8Ω (1 offerta) 
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: NTE...
NTE Electronics
NTE7051
a partire da € 3,62*
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90%
Driver gate MOSFET HIP2211FRTZ-T7A, NMOS, 3.400 ma, 18V, DFN, 10-Pin (1 offerta) 
Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza sink 4A Renesas 100V, sorgente 3A appartiene alla serie HIP2211. Questo driver ha una configurazione a 10 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre liv...
Renesas Electronics
HIP2211FRTZ-T7A-RS
a partire da € 1,803*
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90%
Driver gate MOSFET HIP2211FBZ-T7A, NMOS, 3.400 ma, 18V, SOIC, 8-Pin (1 offerta) 
Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza sink 4A Renesas 100V, sorgente 3A appartiene alla serie HIP2211. Questo driver ha una configurazione a 8 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre live...
Renesas Electronics
HIP2211FBZ-T7A-RS
a partire da € 1,803*
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