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MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Formato IC Convertitore CC/CC TIQFN-EP Tensione di Uscita Max 600 V Gamma di prodotti - Tensione di Ingresso Min 3 V Tensione di Ingresso Max 3.5 V Numero di pin 28 Pin Frequenza di Commutazione Ma...

MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon. I MOSFET di potenza doppi di Infineon integrano due dispositivi HEXFET® per fornire soluzioni di commutazione salvaspazio in progetti ad alta densit...

Formato IC Convertitore CC/CC TIQFN-EP Tensione di Uscita Max 600 V Gamma di prodotti - Tensione di Ingresso Min 3 V Tensione di Ingresso Max 3.5 V Numero di pin 28 Pin Frequenza di Commutazione Ma...

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori ...

Configurazione Diodo doppio diodo, catodo comune Sovracorrente Diretta 320 A Gamma di prodotti - Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione inversa di picco ripetitiva 650 V Corrente diretta medi...

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®. I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in d...

Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Carica di gate tipica 5.8 nC Gamma di prodotti CoolGaN Stile di Case del Transistor LSON Corrente Continua di Drain Id 15 A Tensione Drain Source Vds ...

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di...

Resistenza Drain-Source in conduzione 0.14 ohm Gamma di prodotti CollGaN-Series Carica di gate tipica 3.2 nC Corrente Continua di Drain Id 10 A Stile di Case del Transistor PG-LSON-8-1 Tensione Dra...

MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™

Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Carica di gate tipica 5.8 nC Gamma di prodotti CoolGaN Stile di Case del Transistor SOIC Corrente Continua di Drain Id 31 A Tensione Drain Source Vds ...

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Gamma di prodotti TRENCHSTOP&trade, Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 600 V Stile di Case del Transistor TO-247 Temperatura di esercizio max 175 °C T...