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Gamma di prodotti EconoPACK+ Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 300 A Terminazione...

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0018 ohm Gamma di prodotti OptiMOS -5 Series Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0112 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Monta...

MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon. I MOSFET di potenza doppi di Infineon integrano due dispositivi HEXFET® per fornire soluzioni di commutazione salvaspazio in progetti ad alta densit...

Sovracorrente Diretta 150 A Gamma di prodotti TRENCHSTOP IGBT7 Series Configurazione Modulo Diodo bridge Tensione inversa di picco ripetitiva 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente dir...

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornisco...

Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 340 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor H...

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I...

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I...

Gamma di prodotti EconoPACK TrenchStop Massima tensione Collettore-Emettitore 1.7 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 500 A Te...

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Gamma di prodotti ICB2FL03G Tensione di alimentazione max 17.5 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Temperatura di esercizio max 150 °C Tipo Controllore Ballast Controllore La...