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Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 3.6 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Interfacce I2C Package/case del circuito integrato SOIC Densità ...

Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 3.6 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 14 Pin Interfacce I2C Package/case del circuito integrato SOIC Densità...

Gamma di prodotti EconoPIM 2 Series Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 75 A Temperatura di esercizio max 175 °C Termin...

Gamma di prodotti - Tensione di alimentazione max 5.5 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Interfacce SPI Package/case del circuito integrato SOIC Densità ...

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

Gamma di prodotti EconoPIM 3 Series Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Termi...

Gamma di prodotti EconoPACK 3 Massima tensione Collettore-Emettitore 600 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 100 A Terminazione...

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2. OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di pro...

Gamma di prodotti EasyPIM Massima tensione Collettore-Emettitore 600 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 10 A Terminazione IGBT...

Product Range EconoPACK 3 Collector Emitter Voltage Max 1.2 kV Operating Temperature Max 125 °C Transistor Case Style Module Continuous Collector Current 100 A IGBT Termination Press Fit Collector ...

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I...