MOSFET  (25.429 offerte tra 5.511.232 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0011 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio ...

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor. Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce ...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio super...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IRFZ48RPBF, Corrente di drain continua (Id)=50 A, Dissipazione di potenza (Pd)=190 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=18 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Tem...

MOSFET ; IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0069 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

Interruttori di potenza intelligente high side, STMicroelectronics. Gli interruttori di potenza intelligente (IPS) integrano interfaccia logica, driver, funzioni di diagnostica e di protezione di u...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0051 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=STP55NF06FP, Corrente di drain continua (Id)=50 A, Dissipazione di potenza (Pd)=30 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=15 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Tem...

Accoppiatori Ottici Con Stadio Pilota Intelligente, Broadcom. I dispositivi con stadio pilota isolati otticamente Avago Technologies sono ottimizzati per l'azionamento dei transistor IGBT e MOSFET ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.5 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transi...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=SIS862ADN-T1-GE3, Corrente di drain continua (Id)=52 A, Dissipazione di potenza (Pd)=39 W, Pin=8, Resistenza ON (Rds(on))=8.6 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 36.3 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continu...