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MOSFET, Canale N, 60V, 200mA, TO-92


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N. Articolo:
     7ZX53-30301795
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     2N7000-G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=2N7000-G, Corrente di drain continua (Id)=200 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=1 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=5 Ω, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Tempo di ritardo accensione=10 ns, Tempo di ritardo spegnimento=10 ns, Tensione di scarico di origine (Vds)=60 V, Tensione gate-source=30 V, Confezione=Borsa, Configurazione=Singola, Polarità transistore=Canale N, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-92
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Origine:
TW
Codice doganale:
8541290000
Altezza:
4 mm
Peso netto:
0,210 g
Profondità:
20 mm
Peso lordo:
0,21 g
Larghezza:
5 mm
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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Stato della confezione:Confezione originale aperta, senza danni
Stato della merce:non usato
Spese per la spedizione di restituzione:a carico del cliente
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