MOSFET  (25.258 offerte tra 5.373.886 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0155 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale c...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.004 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montag...

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C3

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0196 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 6 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pi...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 59 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = IRF3710ZS Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0039 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggi...

MOSFET audio digitale, Infineon. Gli amplificatori di classe D stanno diventando velocemente la soluzione preferita per sistemi audio e video professionali e domestici. Infineon offre una gamma com...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 1 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti HEXFET PVG612A Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On Max...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di ...