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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.005 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale ca...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1328 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin ...

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™CP

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00125 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montagg...

MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon. La famiglia StrongIRFET di Infineon è ottimizzata per offrire bassa resistenza R ;sub>DS ;/sub>(on) e capacità di corrente elevata. Questa gamma offre un g...

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...