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Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0196 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 6 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pi...

OptiMOS™ 5 100 V, l’ultima generazione di MOSFET di potenza di Infineon, è progettata appositamente per la rettifica sincrona nelle alimentazioni di telecomunicazioni e server. Inoltre, questi disp...

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0039 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggi...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 1 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti HEXFET PVG612A Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On Max...

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™CP

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornis...

Corrente di Source (Sorgente) 2.5 A Tipo di Interruttore di Potenza IGBT, MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'um...