MOSFET  (25.230 offerte tra 5.316.988 articoli)

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.27 ohm Gamma di prodotti Polar Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrent...

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™CP

Livello di Corrente (Ic / Id) 7 A Gamma di prodotti CIPOS Nano Tensione Nominale (Vces / Vdss) 250 V Modello Case IPM PQFN Tensione di isolamento 1.5 kV Serie IPM CIPOS Nano Sostanze estremamente p...

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.049 ohm Gamma di prodotti Polar Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corren...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 870 µohm Gamma di prodotti serie OptiMOS 5 Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di cana...

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2. OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di pro...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 20,7 A Tensione massima drain source = 650 V Serie = CoolMOS™ Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source ...

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...