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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare ad alta velocità a gate isolato rapido a tre pin Infineon.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica |
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a partire da € 4,065*
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a partire da € 65,601*
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247 (1 offerta) on Semiconductor serie AFGY è un IGBT con diodo a recupero rapido morbido che offre perdite di conduzione e commutazione molto basse per un funzionamento ad elevata efficienza in varie applicazioni... |
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a partire da € 6,533*
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a partire da € 37,417*
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IGBT ROHM, VCE 1200 V, IC 30 A, TO-247N (1 offerta) LIGBT Field Stop Trench ROHM è utilizzato principalmente in inverter generici, UPS, inverter PV e condizionatore di potenza. La dissipazione di potenza è di 267 Watts.Bassa tensione di saturazione ... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
a partire da € 4,343*
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a partire da € 53,545*
per 5 pezzi |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, TO-247 (1 offerta) Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,5... |
ST Microelectronics STGWA75H65DFB2 |
a partire da € 4,159*
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