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  Transistor di potenza  (29.930 offerte tra 5.489.267 articoli)

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"Transistor di potenza"

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Modulo; transistor singolo; 250V; 240A; SOT227B; avvitabile; 695W (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 165ns Tensione drenaggio-fonte: 250V Corrente di drenaggio: 240A Resistenza nello stato di co...
IXYS
IXFN240N25X3
a partire da € 33,97*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 1350 V. Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 330 W Tipo di package = TO-247 Ti...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
a partire da € 2,141*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMNH6012SPSQ-13 MOSFET, CANALE N, 60V, 50A, POWERDI 5060 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMNH6012SPSQ-13
a partire da € 0,723*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 140 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 140 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 714 W Tipo di package = PG-TO24...
Infineon
IGW100N60H3FKSA1
a partire da € 4,848*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET DiodesZetex, canale P, 4 mΩ, 150 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 150 A Tensione massima drain source = 20 V Tipo di package = PowerDI5060-8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resi...
Diodes
DMP2003UPS-13
a partire da € 2,125*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 8 A, canale N, TO-247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 8 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 106 W Tipo di package = TO-247-3 T...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
a partire da € 2,917*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMNH6042SPDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 60V, 24A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 24 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua ...
Diodes
DMNH6042SPDQ-13
a partire da € 0,452*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 12 A, canale N, PG-TO252 (2 offerte) 
Infineon IGD06N60T è un diodo controllato da emettitore anti-parallelo a recupero rapido e molto morbido, caratterizzato da un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha una bass...
Infineon
IGD06N60TATMA1
a partire da € 0,286*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMNH6021SPDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 60V, 32A (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 32 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua ...
Diodes
DMNH6021SPDQ-13
a partire da € 0,749*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo; transistor singolo; 300V; 130A; ISOTOP; avvitabile; 700W (1 offerta) 
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: MIC...
Microchip Technology
APT30M19JVFR
a partire da € 73,78*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 2,05 V, IC 20 A, canale N, DIP (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 2,05 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = DIP Tipo di canale = N Nu...
Infineon
IM564X6DXKMA1
a partire da € 124,7001*
per 14 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMP2035UFCL-7 MOSFET, CANALE P, 20V, 6.6A, U-DFN1616 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...
Diodes
DMP2035UFCL-7
a partire da € 0,178*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo; transistor singolo; 650V; 78A; SOT227B; avvitabile; 595W (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 78A Resistenza nello stato di con...
IXYS
IXFN100N65X2
a partire da € 25,21*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMNH6042SPS-13 MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 60V POWERDI 5060 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.034 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tran...
Diodes
DMNH6042SPS-13
a partire da € 0,263*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 192 A, SOT-227, Montaggio a vite (2 offerte) 
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
a partire da € 33,29*
per pezzo
 
 pezzo
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