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  Transistor di potenza  (29.599 offerte tra 5.326.068 articoli)

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"Transistor di potenza"

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DIODES INC. DMT32M5LPS-13 MOSFET, CAN N, 30V, 150A, POWERDI 5060 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT32M5LPS-13
a partire da € 0,353*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
La serie AFGHL on Semiconductor è composta da IGBT che offrono le prestazioni ottimali con perdite di conduzione e commutazione basse per operazioni ad alta efficienza in varie applicazioni, che no...
onsemi
AFGHL75T65SQ
a partire da € 2,87*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMTH10H017LPD-13 MOSFET, DOPPIO CAN N, 59A, 100V, 175°C (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 59 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensio...
Diodes
DMTH10H017LPD-13
a partire da € 0,76*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK (1 offerta) 
Produttore: STMicroelectronics Montaggio: SMD Corpo: DPAK Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 10A Corrente del collettore nel impulso: 30...
ST Microelectronics
STGD10NC60KDT4
a partire da € 0,86*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 950 V, TO-247 (1 offerta) 
Arresto Di Campo Trench 4th generazione IGBT a bassa Vcesat co−confezionato con diodo a corrente nominale completaTemperatura di giunzione massima: TJ =175℃ Coefficiente di temperatura positivo per...
onsemi
FGY75T95LQDT
a partire da € 188,3301*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMT10H025SK3-13 MOSFET, CANALE N, 100V, 41.2A, TO-252 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0178 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT10H025SK3-13
a partire da € 0,238*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid a corrente nominale completa 1.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Mag...
Infineon
IKB40N65EH5ATMA1
a partire da € 2,726*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMT4004LPS-13 MOSFET, CANALE N, 40V, 90A, POWERDI 5060 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0025 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT4004LPS-13
a partire da € 0,469*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, PG-TO247-4 (1 offerta) 
Il transistor bipolare a gate isolato e diodo duopack 650V Infineon è stato copacked con Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affid...
Infineon
IKZ50N65EH5XKSA1
a partire da € 3,866*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMTH10H025LK3Q-13 MOSFET, CANALE N, 100V, 51.7A, TO-252 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0171 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMTH10H025LK3Q-13
a partire da € 0,447*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0,04mJ; Eon: 0,14mJ (1 offerta) 
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO220F Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Tensione di saturazione coll-emett.: 1,55V Corrente del c...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF10B60D2
a partire da € 0,73*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMT10H9M9LCT MOSFET POTENZA, 100V, 101A, TO-220AB-3 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0067 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...
Diodes
DMT10H9M9LCT
a partire da € 0,759*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB (1 offerta) 
Produttore: STMicroelectronics Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 10A Corrente del collettore nel impulso:...
ST Microelectronics
STGP10NC60HD
a partire da € 0,95*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT ROHM, VCE 1200 V, IC 30 A, TO-247N (1 offerta) 
LIGBT Field Stop Trench ROHM è utilizzato principalmente in inverter generici e per luso automobilistico e industriale. La dissipazione di potenza è di 267 Watts.Bassa tensione di saturazione del c...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
a partire da € 4,735*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMT47M2LDV-7 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 40V, 30.2A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30.2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continu...
Diodes
DMT47M2LDV-7
a partire da € 0,309*
per pezzo
 
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