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  Transistor di potenza  (29.599 offerte tra 5.326.068 articoli)

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"Transistor di potenza"

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Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaggio: THT Corpo: TO264 Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±30V Corrente del collettore: 102A Corrente del collettore nel impuls...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT102GA60L
a partire da € 18,18*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partire da € 3,814*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMT3006LFV-13 MOSFET, CANALE N, 30V, 60A, POWERDI 3333 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0056 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT3006LFV-13
a partire da € 0,275*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 62 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO220 Tipo di canale = ...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
a partire da € 62,12*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMT6009LK3-13 MOSFET, CANALE N, 60V, 57A, TO-252 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0083 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT6009LK3-13
a partire da € 0,458*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMT10H010LSS-13 MOSFET, CANALE N, 100V, 29.5A, SOIC (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMT10H010LSS-13
a partire da € 0,643*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; 400V; 10A; 30W; TO220FP (1 offerta) 
Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: NTE...
NTE Electronics
NTE3300
a partire da € 5,55*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 T...
onsemi
AFGHL50T65SQ
a partire da € 2,298*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMT3020LDV-7 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 30V, 32A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 32 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua ...
Diodes
DMT3020LDV-7
a partire da € 0,167*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 16,7W; TO220F; Eoff: 0,16mJ; Eon: 0,35mJ (1 offerta) 
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO220F Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Tensione di saturazione coll-emett.: 1,53V Corrente del c...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF10B60D
a partire da € 0,93*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 469 W Tipo di package = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65LQDTL4
a partire da € 5,371*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMTH10H010SPSQ-13 MOSFET, CAN N, 100V, 100A, POWERDI 5060 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0066 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMTH10H010SPSQ-13
a partire da € 0,809*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) 
Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES...
Infineon
IKP40N65F5XKSA1
a partire da € 2,205*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMT10H015LPS-13 MOSFET, CAN N, 100V, 44A, POWERDI 5060 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMT10H015LPS-13
a partire da € 0,462*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
a partire da € 919,1016*
per 240 pezzi
 
 pacchetto
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