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  Transistor di potenza  (29.865 offerte tra 5.359.228 articoli)

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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid a corrente nominale completa 1.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Mag...
Infineon
IKB40N65EH5ATMA1
a partire da € 2,706*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMP4015SPSQ-13 MOSFET, CAN P, 40V, 8.5A, POWERDI 5060 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P C...
Diodes
DMP4015SPSQ-13
a partire da € 0,358*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247 (2 offerte) 
La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del...
Infineon
IGW75N65H5XKSA1
a partire da € 3,128*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMT10H072LFV-7 MOSFET, CAN N, 100V, 20A, POWERDI 3333 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0506 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Diodes
DMT10H072LFV-7
a partire da € 0,161*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partire da € 3,804*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMP31D0UFB4-7B MOSFET, CANALE P, 30V, 0.54A, DFN1006 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.45 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...
Diodes
DMP31D0UFB4-7B
a partire da € 0,4505*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247-3-HCC (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 78 W Tipo di package = TO-247-3-HC...
Infineon
IKWH40N65WR6XKSA1
a partire da € 54,93*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -40V; -2,7A; Idm: -20A; 1,4W; SOT23 (2 offerte) 
Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT23 Tensione drenaggio-fonte: -40V Corrente di drenaggio: -2,7A Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω Tipo del transistor: P-MOSFET Appl...
Diodes
DMP4065SQ-7
a partire da € 0,177*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP (1 offerta) 
Produttore: TOSHIBA Montaggio: THT Corpo: TO220FP Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±25V Corrente del collettore: 11A Corrente del collettore nel impulso: 80A Tempo ...
Toshiba
GT20J341,S4X(S
a partire da € 1,18*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247 Tipo di canale = N ...
Infineon
IGW75N65H5XKSA1
a partire da € 3,147*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMT12H007LPS-13 MOSFET, CAN N, 120V, 90A, 150°C, 2.9W (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.006 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tran...
Diodes
DMT12H007LPS-13
a partire da € 4,19*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB (2 offerte) 
Produttore: STMicroelectronics Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 10A Corrente del collettore nel impulso:...
ST Microelectronics
STGP10NC60KD
a partire da € 0,66*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 469 W Tipo di package = TO-247-4LD
onsemi
FGHL75T65LQDTL4
a partire da € 5,331*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -60V; -3,9A; Idm: -32A; 1,2W (2 offerte) 
Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: -60V Corrente di drenaggio: -3,9A Resistenza nello stato di conduzione: 55mΩ Tipo del transistor: P-MOSFET x2 Pot...
Diodes
DMP6050SSD-13
a partire da € 0,275*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3-HCC (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 103 W Configurazione = Single Tipo...
Infineon
IKWH50N65WR6XKSA1
a partire da € 62,46*
per 30 pezzi
 
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