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MOSFET onsemi, canale N, 3,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1241376
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB035N10A
EAN/GTIN:
     5059042719512
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
333 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1241376, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDB035N10A
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