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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-FDB047N10
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB047N10
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 164A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 375W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 0,21µC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 656A
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