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MOSFET DiodesZetex, canale N, 13 Ω, 260 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1658844
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
     5059043988795
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
260 mA
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
13 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
400 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1658844, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMN63D8LDW7
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