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Articolo
DIODES INC. DMN63D8LDW-7 MOSFET AEC-Q101, CAN-N DOPP. 30V, SOT363
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2543518
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 260 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 260 mA Resistenza RdsON canale N 2.8 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 2.8 ohm Dissipazione di potenza canale N 400 mW Dissipazione di potenza canale P 400 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
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SMD transistor
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Transistor SMD
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Effetto
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Semiconduttori
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DIODES INC.
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DMN63D8LDW-7
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2543518
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254-3518
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