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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W


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N. Articolo:
     5068-DMN63D8LDW-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 0,17A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,4W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
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